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BSB028N06NN3 G /MOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
BSB028N06NN3 G的规格信息
BSB028N06NN3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:WDSON-2-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:90 A

Rds On-漏源导通电阻:2.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:108 nC

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:78 W

配置:Single

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.7 mm

长度:6.35 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.05 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:6 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:21 ns

零件号别名:BSB028N06NN3GXUMA1 BSB28N6NN3GXT SP000605956

供应商BSB028N06NN3 G
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深圳市芯幂科技有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市清腾科技有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路156号上步工业区405栋3190755-83993052
18390902447		刘先生Email:893018447@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司BSB028N06NN3 G航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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集好芯城BSB028N06NN3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市辉华拓展电子有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司BSB028N06NN3 G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市华芯盛世科技有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312		朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
深圳市斌腾达科技有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市博浩通科技有限公司BSB028N06NN3 G华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
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BSB028N06NN3 G及相关型号的PDF资料
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BSB028N06NN3 GMOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO728.23 Kbytes共11页BSB028N06NN3 G的PDF下载地址无
BSB028N06NN3 G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：22A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 102uA 漏源导通电阻：2.8mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO743.97 Kbytes共11页BSB028N06NN3 G的PDF下载地址无
BSB028N06NN3 G的全球分销商及价格
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ChipOneStop		BSB028N06NN3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 60V MOSFET5000+:￥8.46
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Digi-Key 得捷电子		BSB028N06NN3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 60V MOSFET5000+:￥8.46
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		BSB028N06NN3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 60V MOSFET5000+:￥8.46
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BSB028N06NN3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 31:¥16.9048
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		BSB028N06NN3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 60V MOSFET5000+:￥8.46
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立创商城		BSB028N06NN3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：22A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 102uA 漏源导通电阻：2.8mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 类型：N沟道1+:￥18.15
200+:￥7.03
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BSB028N06NN3 G的相关型号
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