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BSB028N06NN3 G /MOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
BSB028N06NN3 G的规格信息
BSB028N06NN3 G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:WDSON-2-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:90 A

Rds On-漏源导通电阻:2.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:108 nC

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:78 W

配置:Single

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.7 mm

长度:6.35 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.05 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:6 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:21 ns

零件号别名:BSB028N06NN3GXUMA1 BSB28N6NN3GXT SP000605956

供应商BSB028N06NN3 G
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深圳市坤融电子有限公司BSB028N06NN3 G航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司BSB028N06NN3 G华强北都会轩26010755-23903154
13430590551
杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283,19147721680
王小姐,刘先生Email:345720093@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市星宇佳科技有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905
谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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集好芯城BSB028N06NN3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市芯泽盛世科技有限公司BSB028N06NN3 G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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芯莱德电子(香港)有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市高捷芯城科技有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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深圳市瑞浩芯科技有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司BSB028N06NN3 G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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BSB028N06NN3 GMOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO728.23 Kbytes共11页BSB028N06NN3 G的PDF下载地址
BSB028N06NN3 G连续漏极电流(Id)(25°C 时):22A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 102uA 漏源导通电阻:2.8mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.2W 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO743.97 Kbytes共11页BSB028N06NN3 G的PDF下载地址
BSB028N06NN3 G的全球分销商及价格
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BSB028N06NN3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 60V MOSFET5000+:¥8.46
10000+:¥8.14
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100+:¥10.3501
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Digi-Key 得捷电子
BSB028N06NN3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 60V MOSFET5000+:¥8.46
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
BSB028N06NN3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 31:¥16.9048
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Verical
BSB028N06NN3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel 60V MOSFET5000+:¥8.46
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立创商城
BSB028N06NN3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):22A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 102uA 漏源导通电阻:2.8mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.2W 类型:N沟道1+:¥18.15
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